测量MOS电容的电容值的电路及方法
河南省科学院集成电路研究所 黄河电子科技有限公司
2024-07-02
电容电压 充放电路径 延时锁相环 比较器 调控电压 比较结果 查找表 控制信号 延时时间
本发明提出了一种测量MOS电容的电容值的电路.该电路包括:充放电路径,被配置为在第一控制信号和/或第二控制信号的控制下,对MOS电容进行充电或放电以产生指示MOS电容两端电压差的电容电压,其中,以第一恒定电流对MOS电容充电或放电;比较器,与充放电路径耦合,被配置为对基准电压和电容电压进行比较并产生比较结果;及延时锁相环电路,与比较器耦合,被配置为根据反相后的第一控制信号或第一控制信号与比较结果之间的相位差产生调控电压;根据调控电压在查找表中获取对应的延时时间,从而根据调控电压、延时时间、第一恒定电流计算出MOS电容的电容值.利用该电路可准确计算出MOS电容的电容值,可准确知晓MOS电容的特性和工作状态.
